シリコンを装荷したフェライトエッジガイドモードアイソレータに関する一考察
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概要
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非可逆特性の光制御を目的としてシリコンを装荷したフェライトエッジガイドモードアイソレータについて解析ならびに実験を行った。数値計算ではプラズマ層に相当する厚みを有する導電率σの抵抗体と誘電体とを組み合わせてプラズマが誘起されたシリコンの解析モデルとしている。更にこれをフェライトエッジガイドモードアイソレータ一端に装荷した解析モデルを考え、導電率の等価特性への影響をFDTD法による数値計算により明らかにしている。その結果、導電率の変化によりアイソレーション比を30dB以上制御できることを確認した。更に数値計算結果に基づき、アイソレータを試作し測定を行った結果、周波数11GHzで制御幅23dBが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-12
著者
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