シリコンHガイドにおけるミリ波の漏洩特性
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概要
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半導体の光導電効果を利用したシリコンHガイドでは, 外部からの光照射により半導体の一部にプラズマ層を高速に誘起させて漏洩波を生じさせることができる。新しいミリ波用デバイスを設計する上で最近, 特にこの漏洩波が注目されている。これまでに損失を含まない導波路であるスラブ型導波路, あるいはHガイドの一種であるNRDガイド, さらに, コプレーナーストリップ線路などにおいて漏洩波の検討が報告されている。ここでは, 光プラズマ層をもつシリコンHガイドにおけるミリ波の漏洩特性を, パワー密度を基に検討する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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