薄膜トランジスタの結晶粒界のトラップ密度の抽出方法の開発 : デバイスシミュレータによる抽出方法と抽出結果(半導体Si及び関連材料・評価)

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概要

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• 多結晶シリコン薄膜トランジスタの結晶粒界のトラップ密度の, 2次元デバイスシミュレータによる抽出方法を開発した.結晶粒界のポテンシャルバリアを考慮しながら, シミュレーションによるI-V特性と実測のI-V特性を, 逐次的にフィッティングすることにより, トラップ密度のエネルギ分布を抽出できる.実際の分布を抽出したところ, U字型とガウシアン型の組み合わせであることがわかった.U字型は非単結晶Siでしばしばみられるものであり, ガウシアン型は特定の欠陥に起因すると思われる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-12-14

著者

• 原田 聖

  龍谷大学大学院理工学研究科電子情報学専攻

• 木村 睦

  龍谷大学大学院理工学研究科電子情報学専攻

• 安原 徹

  龍谷大学大学院理工学研究科

• 木村 睦

  龍谷大学大学院理工学研究科電子情報学専攻:ハイテクリサーチセンター革新的材料・プロセス研究センター

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