IC化に適したCMOS-VCXOに対する一検討
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概要
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従来、VCXOはバリキャップダイオードの容量変化を用いることで発振周波数を制御しており、広い周波数可変幅を得るには大きな容量変化が必要となる。先に我々は、MOSFETのミラー容量を用いることによって大きな容量変化を得るここができ、IC化に適した広可変幅VCXOについて報告した。今回,CMOS水晶発振器にMOSFETのミラー容量を用いた容量可変回路を付加したIC化に適した広可変幅VCXOの構成及びその特性に対し検討を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
関根 好文
日本大学理工学部
-
李 裕次
日本大学大学院理工学研究科
-
鶯塚 日出夫
キンセキ株式会社
-
李 裕次
日本大学理工学部
-
佐々木 圭則
日本大学大学院理工学研究科
-
佐々木 圭則
日本大学理工学部
-
鴬塚 日出夫
キンセキ株式会社
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