0.25μmデバイス対応ハーフトーンマスク技術

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概要

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• 0.25μmルール以降のデバイス製造ツールとして、KrFエキシマレーザリソグラフィー技術の実用化開発が進められている。ただし、いままでのリソグラフィーツールと異なり。KrFエキシマレーザリソグラフィーはその露光波長(0.248μm)とほぼ同じサイズのパターンルールから使用が始まることになる。従って、レジスト性能のより一層の向上はもちろんのこと、位相シフトマスク・変形照明等の超解像技術も同時に実用化していく必要がある。ハーフトーン型位相シフトマスク(HTマスク)はコンタクトホールの微細化に有効であり、またマスクの製作も比較的簡単である。以下、HTマスク製作技術およびそれを用いた0.25μmコンタクトホール形成について述べる。

• 1995-09-05

著者

• 森本 博明

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 若宮 亙

  三菱電機ULSI開発研究所

• 宮崎 順二

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 吉田 晃

  三菱電気ulsi開発研究所

• 吉岡 信行

  三菱電機北伊丹製作所

• 森本 博明

  三菱電機北伊丹製作所

• 前床 和行

  三菱電機北伊丹製作所

• 宮崎 順二

  三菱電気LSI開発研究所

• 塙 哲郎

  三菱電気ULSI開発研究所

• 若宮 亙

  三菱電気ULSI開発研究所

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