セラミックエミッタのイオンバランス

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概要

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LSIの高集積化に伴い、半導体工場では、静電気障害に基づく歩留低下が問題となっている。この対策として、金属エミッタに高電圧を印加してコロナ放電を発生させ、この放電によりイオンを発生させてSiウェハやマスクを除電する装置としてイオナイザが広く用いられている。しかし、従来のイオナイザは、金属性のエミッタであったため、高電圧を印加して使用するとエミッタの先端が劣化し、クリーンルーム内金属微粒子を飛散して汚染源になることがあった。そこで我々は、エミッタの材料としてSiを用い、徴粒子がSiウェハに付着、拡散してもSiウェハの特性を変化させることのないエミッタを開発している。しかし、Siは機械的強度が低いため、エミッタの尖端だけをSiとし母材にSiCを用いたSi-SiCセラミックエミッタの開発を行っている。本報では、セラミックエミッタ(C.E.)のイオンバランスを従来のタングステンエミッタ(W.E.)と比較しながら評価した。
1995-09-05

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