SiC-Si系FGMの熱電変換素子への応用
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概要
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SiCセラミックスは高温で化学的安定性に優れた半導体であり、熱電変換素子への応用が期待される。しかし、SiCセラミックスの室温での電気伝導度は著しく低いため、熱電変換素子に応用した際には、低温側の抵抗値が大きくなる欠点がある。そこで、熱電変換素子の高温側をSiCセラミックスで構成し、低温側をSiC-Si複合材料で構成した傾斜機能材料を熱電変換素子に応用することを検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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