高誘電率基板を用いた90°ハイブリッドカプラー
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概要
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近年、準マイクロ波帯の周波数を用いたディジタル移動体通信システムが実用化され、それにともなって、90゜ハイブリッドカプラーに対する高周波化と小型化の要求が増えている。われわれは、既に誘電体セラミック基板(ε_r=21)に薄膜微細加工技術を用いて縁端結合型の900MHz帯、及び2GHz帯90゜ハイブリッドカプラーを報告した。今回、更に高い誘電率のセラミック基板(ε_r=38)に超繊細加工を施すことにより、小型90゜ハイブリッドカプラーの試作を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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