バンプ材料における熱疲労寿命の検討

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概要

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近年、半導体素子の入出力端子数の増加、高密度化に伴い、高密度実装形態としてフリップチップ実装が注目を集めている。また、フリップチップ実装の半田バンプ材料にはAuやPb/Sn系の共晶半田、高温半田等が主に使用され、このバンプが疲労破壊による不良の原因となっていることが知られている。そこで本稿では、Pb/Sn系の共晶半田、高温半田を使用したLSIバンプを基板に実装したものについて3次元非線形熱応力解析を行い、各々の組成時に発生する相当塑性歪み振幅値を算出し、熱疲労寿命について検討したのでこれを報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-08-13

著者

櫻井雅也
沖電気工業

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