全MOVPE成長1.48μm歪MQW-BHLD
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概要
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Erドープファイパ増幅器の励起用として高出力1.48μmLDが開発され、我々も既に120mW/700mAの高出力モジュールを実用化して報告した。需要の増大とともに、価格、消費電力の低減に対する要求が厳しくなっている。これらの点に応えるため、従来のMOVPE法とLPE法によるハイブリッド成長に替えて、埋め込み構造までMOVPE法を採用したLDの特性を検討した。LPE法による埋め込み成長に比べて、MOVPE法を利用すればストライプ幅、電流ブロック層位置等の制御能力が大きく向上する。今回の検討により、全MOVPE成長で、従来の方法による素子に匹敵する1.48μmLDを得ることが可能であることが明かとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
小野 純
国士舘大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
金谷 康宏
アンリツ株式会社アドバンストコンポーネンツ第2開発部
-
小野 純
アンリツ株式会社アドバンストコンポーネンツ第2開発部
-
土屋 富志夫
アンリツ株式会社研究所
-
篠根 克典
アンリツ株式会社研究所
-
菊川 知之
アンリツ株式会社研究所
-
永井 治男
アンリツ株式会社研究所
-
菊川 知之
アンリツ(株)技術統轄本部研究所
-
菊川 知之
アンリツ株式会社
-
永井 治男
アンリツ株式会社 研究所
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