GSGG基板を用いたCe置換YIG膜の形成
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概要
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Ce置換YIG膜は大きなファラデー効果を持つため,光非相反回路,特に導波型非相反回路(光アイソレータ等)への応用が期待される.これまでに,我々は,膜より格子定数が小さな(Gd,Ca,Mg)_3(Ga,Zr)_5O_<12>基板(a=12.495Å)上にCe置換YIGを形成したが,伝搬損失が高くその低減が望まれた.今回,格子不整合の緩和を図るため,格子定数の大きなGSGG基板を用いてCe置換YIG膜を形成した結果,伝搬損失の低減が図れたので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
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