InAlAs/歪InGaAs HEMTを用いた30GHz帯VCO
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概要
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現在、車載用レーダ等ミリ波帯のシステム開発が盛んである。InAlAs/InGaAs系のHEMTデバイスは、GaAs系に比べて高い電子濃度・電子移動度を備えるため、将来のミリ波素子として注目されている。今回、チャネルのIn組成比を0.8まで高めたInAlAs/歪InGaAs構造に、加工の容易な0.5μm角型ゲートを組み合わせたHEMTを用いて、30GHz帯のVCO-MMICを作製した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
澤田 学
株式会社デンソー基礎研究所
-
松ヶ谷 和沖
(株)デンソー基礎研究所
-
澤田 学
日本電装(株)基礎研究所
-
松ヶ谷 和沖
日本電装(株)基礎研究所
-
上野 祥樹
日本電装(株)基礎研究所
-
澤田 学
株式会社デンソー
-
澤田 学
基礎研究所
-
田口 隆志
日本電装(株)基礎研究所
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