大信号FETモデリングに関する寄生素子パラメータの影響
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概要
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Cold FET法を用いたInP HEMTのモデリングと、等価回路パラメータのバイアス依存性について報告する。高精度のモデリングのため、寄生素子パラメータをCold FET法を用いて設定し、等価回路パラメータのバイアス依存性について検討した。Cold FET法を用いることで、等価回路パラメータの適当でないバイアス依存性が抑制されることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-21
著者
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