光照射MESFETのモデリングと光制御HMIC発振器のシミュレータ設計・解析
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概要
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本論文では, 光照射されたMESFETの大信号モデリングと, 提案されたモデルを用いた光制御HMIC発振器の設計と解析について報告する. 計測では, 光照射MESFETのSパラメータ及びDC特性の測定結果について述べた. モデリングでは, 光照射MESFETのモデリングについて詳しく述べ, 光強度パラメータを含んだ光照射MESFETモデルを提案した. この, 光照射MESFETモデルを用いて計算したI__<ds>-V__<ds>特性とSパラメータは, それぞれの測定値とよく一致した. シミュレーションでは, 提案したモデルを用いて設計した発振器の, 光による発振周波数制御とパルス変調実験のシミュレーション解析について示した. その結果, 光パルス変調した発振器の出力スペクトルの計算結果は, その測定結果とよく一致し, マイクロ波が光により変調されていることを確認した. 更に, エンベロープのひずみを検討し, 高速な光パルスの照射が, MESFET発振器出力のエンベロープに対してどのような影響を与えるか, また適用可能な最大ビットレートがどの程度であるかを検討した.
- 1999-06-25
著者
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