Embedded DRAM技術 : DRAMはASICに溶け込む

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概要

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• 汎用DRAM製造技術を使わず、ASIC向けのCMOS製造技術で試作した、高速DRAMについて述べる。今回試作したDRAMは、従来型の3T1C型ではなく、汎用DRAMで採用されている、1T1C型で設計開発を行った。0.5umのASIC製造技術を使い製造行程を変えることなく、80%以上の歩留を示した。また、ユニークな高速メモリアーキテクチャの採用で、最大200MB/sの高速データ転送速度も得られる。最終的に、ASIC設計環境下で顧客が自由に使えるような、DRAMライブラリ化の可能性を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-05-23

著者

• 橋本 征史

  日本テキサス・インスツルメンツ(株)ディジタル・ビデオ製品部デザイン部

• 安部 慶一郎

  日本テキサスインスツルメンツ(株)美浦工場デザインセンター

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