Si SIMOX CMOS技術を用いた非接触ICカード用ダイオードミクサ
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概要
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Si SIMOX CMOS技術を用いたダイオードミクサのGHz帯への適用可能性を調べるために,アンチパラレルダイオードペア回路構成の非接触ICカード用擬光学ミクサを試作して1∼2GHz帯で動作を確認している.所要のダイオード特性はFETのドレーン電流特性を用いて実現している.
- 1999-09-25
著者
-
西村 和好
NTT通信エネルギー研究所
-
柴田 随道
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
柴田 随道
NTT生活環境研究所
-
竹田 忠雄
NTT生活環境研究所
-
柴田 随道
日本電信電話株式会社ntt先端技術総合研究所
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