Sn-Sb系はんだの接着性に及ぼす積層金属層の相互作用の影響

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概要

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パワー半導体デバイスの高信頼性と強固なはんだ付けの実現を目的として,A1-Cr-Ni-Ag積層金属層の熱処理による相互作用,ならびにこの相互作用とSn-Sb系材料を適用した場合の不均一はんだ付け性との関連を検討した.熱疲労試験による熱抵抗の増大は,半導体チップが不均一にはんだ付けされたため生ずる.これは,熱ストレスが接着領域にのみ過大に作用して,はんだ層の破壊が促進されることによる.積層金属層が蒸着後500℃程度で熱処理されると,最下層のA1がAg層へ拡散して表面に露出する.露出したA1は,はんだのぬれ性を阻害して不均一はんだ付けの原因になる.
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-25

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