ゲート電圧による移動度の変化を補償した低ひずみ4象限乗算形CMOS-OTA
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概要
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本論文では,抵抗領域で動作する四つのMOSFET(MRA)と等電圧レベルシフト回路(IVLS)を用いて,簡単な構成ながら広い線形入力範囲を有し,トランスコンダクタンスg_mを正負にわたって制卸可能な4象限乗算形のOTA(FQAMT-OTA)の基本原理を示す.FQAMT-OTAを高周波信号領域で動作させるにはMRAにチャネル長の短いMOSFETを用いなければならない.従来,多くのCMOS回路の設計時にはキャリヤの実効移動度μは定数として扱ってきたが,μはゲート.ソース間電圧により変化するという特性をもっている.チャネル長の短いMOSFETを用いた回路の設計をする際にはこの影響は無視できないものとなり,FQAMT-OTAの場合は出力に大きな2次の高調波ひずみを生じる原因となる.また,チャネル長の短いMOSFETを用いると回路の消費電力が増大する.本論文ではこれらの問題はMRAをブートストラップ回路にするだけで改善できると考え,これを用いた改良形FQAMT-OTAの構成を示し,PSpiceによるシミュレーション結果を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-25
著者
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