II-VI族系ワイドバンドギャップ化合物半導体結晶の微視的欠陥と少数キャリヤ拡散長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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概要

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• 青色LD素子材料であるZnSe系半導体結晶(MBE法によりGaAs基板上に成長)の結晶性をデバイスに重要なキャリヤ拡散長(寿命)とミクロ欠陥の立場から評価し, 混晶効果・格子不整合, n, p型不純物種や添加量の違いが結晶性(劣化)に与える影響を検討した。実験の結果, 混晶効果や格子不整合効果に加え, 殊にp型ZnSeでは不純物である活性窒素に関連する再結合中心(H1準位)が存在し, 大きな結晶性(キャリヤ拡散長・寿命)の劣化をもたらしていることが明らかになった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-01-25

著者

• 安東 孝止

  鳥取大学工学部

• 山口 勉

  鳥取大学工学部

• 吉田 寛

  鳥取大学工学部

• 阿部 友紀

  鳥取大学工学部

• 笠田 洋文

  鳥取大学工学部

• 吉田 寛

  鳥取大学工学部:(現)(株)エルダム

• 笠田 洋文

  鳥取大学大学院工学研究科

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