II-VI及びIII-V青色レーザ結晶中の深い欠陥準位
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
II-VI族及びIII-V族青色半導体レーザ結晶 (素子) のミクロ欠陥を深い欠陥準位の実験ら検討した。II-VI族レーザー結晶には非発光再結合欠陥として働く欠陥準位 (H1準位:ZnSe) や欠陥構造遷移を示すmetastable-center (HM1準位:pZnMgSSe) が存在し素子特性に顕著影響を与えていることが判明した。一方III-V族のGaN結晶には欠陥準位 (pGaN:HG1) が導入されているが、II-VI族より2桁低濃度で且つ安定な欠陥であることが検証された。これらのミクロな欠陥 (準位) の挙動は、青色半導体LD素子の特性/寿命に強く関連している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-16
著者
-
安東 孝止
鳥取大学工学部
-
山口 勉
鳥取大学工学部
-
吉田 寛
鳥取大学工学部
-
笠田 洋文
鳥取大学工学部
-
土道 淳一
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
奥野 洋一
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
吉田 寛
鳥取大学工学部:(現)(株)エルダム
-
笠田 洋文
鳥取大学大学院工学研究科
関連論文
- Cu-rich 融液から育成したBi-2212超伝導単結晶の光電子分光
- 酸化亜鉛結晶成長機構の理論的研究
- II-VI族系ワイドバンドギャップ化合物半導体結晶の微視的欠陥と少数キャリヤ拡散長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- II-VI及びIII-V青色レーザ結晶中の深い欠陥準位
- II-VI及びIII-V青色レザ結晶中の深い欠陥準位
- Pb_Sn_XTe Spin-Flip Ramanレーザーに関する研究
- PN接合型ガードリングを形成した青-紫外光波帯・ワイドギャップ半導体アバランシフォトダイオード(APD)の開発(半導体材料・デバイス)