PN接合型ガードリングを形成した青-紫外光波帯・ワイドギャップ半導体アバランシフォトダイオード(APD)の開発(半導体材料・デバイス)

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概要

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紫外光波帯によるポスト・ブルーレイシステムや新しい光学医療機器などの開拓に向けて,ワイドギャップ半導体を用いた短波長帯APD素子の研究が活発に展開されている.しかし,現時点での多くのワイドギャップ半導体APD素子は,高電界動作時に発生する暗電流の増加や,それによる信号利得や感度の不安定性などのため,実用APD素子としての信頼性が確立されていない状況である.本研究は,GaAs基板上にMBE成長で作製したII-VI系ワイドギャップ半導体(ZnSSe)APD素子の上部にpn接合型ガードリングを形成し,暗電流の実用水準での制御とAPD動作の安定性を検証したものである.この新しい青-紫外APD素子は,極めて低い動作電圧(35V動作)において,低い暗電流(<10^<-11>A/mm^2)と高い紫外感度(3A/W:300nm)を示す.
2012-01-01

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