希硫酸でドープした熱処理ポリアニリン膜の誘電特性
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概要
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空気中で熱処理したポリアニリン膜をpH=2.0までの希硫酸にドープし,その誘電特性を求めた.熱処理による膜の形態学的変化を可視紫外,赤外分光測定および示差走査熱量測定により推定し,各熱処理試料のドーピングによる誘電特性の変化について検討した.誘電特性から見て,熱処理温度は大きく二つの領域に分けることができる.170℃までの低温熱処理領域では,熱処理温度の上昇に伴い,ドーピングにより導入されたイオンのダイポールや分子鎖のセグメント運動が束縛され,誘電率の低下,tanδピークの低周波シフトが認められた.210℃以上の高温熱処理ではポリアニリンの構成要素であるイミンが変化し,もはや水素イオンを吸着せずドーピングによっても誘電率が増加しないことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-25
著者
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