2p-H-8 焦電性高分子の低温域の電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1985-09-13
著者
関連論文
- 希硫酸でドープした熱処理ポリアニリン膜の誘電特性
- 29a-QF-6 CVL励起色素レーザーの発振特性
- 色素分散型ポリマー有機EL素子の高機能化に向けた陰極構成(電気電子工学科)
- 9p-U-9 低温液体の絶縁破壊遅れ
- 半酸化ポリアニリンのヨウ素ドーピング
- ポリアニリン膜の誘電損に対する熱処理の影響
- 高導電性ポリマー電極薄膜表面と有機層との界面の有機EL素子特性に与える影響
- 14p-Q-4 液晶の磁場配向と光散乱の波長依存性
- 1J17 液晶のレーザー光散乱の厚さ依存性
- 4V02 液晶中におけるレーザー光散乱,透過特性
- 3V03 液晶相転移における磁場効果
- 30p-S-3 液晶比熱の磁場,電場効果
- 1Q11 ヌメクチック液晶の比熱と熱伝導
- 2Q16 液晶比熱の磁場効果
- 3a-N-10 液晶比熱の磁場依存性 III
- 3a GC-4 液晶比熱の磁場依存性 II
- フッ化ビニリデン-3フッ化エチレン共重合体の電気伝導と分子構造
- 強誘電性高分子の電気伝導と分子構造におけるドーピングの影響
- 希硫酸でドープしたポリアニリン膜の誘電特性に及ぼす熱処理の影響
- レーザー照射による焦電性高分子の電気伝導
- 硫酸水溶液でドープしたポリアニリンの電気伝導に及ぼす水分の影響
- フッ化ビニリデン-3フッ化エチレン共重合体の電気伝導と分子構造に対する色素添加効果
- エメラルディンベースポリアニリン薄膜の電気伝導の熱処理特性
- ポリアニリン薄膜の電気伝導の熱処理特性
- ポリアニリン薄膜のキャリア移動過程
- 1p-CK-9 液晶のブリルアン散乱 II
- 1B08 液晶相転移におけるブリルアン散乱
- 7p-P-3 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 5p-Q-7 磁場による液晶の格子状ドメイン形成
- 3p-G-5 液晶相転移での比熱と熱伝導(II)
- 低温液体の絶縁破壊遅れ
- 6a-H-9 極低温絶縁体の破壊遅れ
- 強誘電性高分子の電気伝導と分子構造
- 強誘電性高分子の色素添加効果
- 27a-ZC-7 P(VDF-TrFE)共重合体のキャリヤ移動度
- P・VDF-TrFE 共重合体のキャリヤ移動度
- 強誘電性高分子の焦電性に対する極性効果
- 強誘電性高分子薄膜の光検知特性
- 高分子薄膜のエキシマレーザー照射効果
- エキシマレーザー照射による高分子薄膜の電気伝導
- 2p-H-8 焦電性高分子の低温域の電気伝導
- 赤外レーザパルス計測用高分子薄膜検知素子
- 3a-I-7 VDF-TrFE高分子の低温域の電気伝導
- 焦電性高分子のレーザー照射誘起伝導 (記念号)
- 4a-RH-8 高分子薄膜の光照射誘起伝導
- 高分子薄膜の赤外レーザー光検出器
- 12a-J-7 高分子薄膜の赤外レーザー誘起伝導
- 28a-SA-9 赤外レーザー照射による高分子の電気伝導
- VDF-TrFE 高分子の焦電性と空間電荷
- 1a-Q-7 CO_2レーザー照射によるVDF-TrFE共重合体の電気伝導
- 30p-E-7 VDF-TrFE共重合体の電気伝導(IV)
- 絶縁性ポリアニリンの電気伝導
- 3R07 磁場中での液晶比熱測定
- 6p-AE-5 液晶比熱の磁場依存性
- 4B19 液晶レーザ散乱
- 12a-A-2 スメクチック液晶相転移における磁場効果 (II)
- 3a-N-11 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 12p-N-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱 II
- 5p-KF-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱
- 25a-K-2 液晶のラマン散乱における低周波モード
- ポリフッ化ビニリデンの焦電性と空間電荷
- 31a KE-3 ポリフッ化ビニリデンの焦電性
- 5a-NZ-5 VDF-TrFE共重合体の電気伝導(III)
- 2p-C-7 VDF-TrFE共重合体の電気伝導 (II)
- 4p-G-6 VDF-TrFE共重合体の電気伝導
- 27p-M-7 ポリフッ素化ビニリデンに於ける焦電性の起因
- 5p-AD-13 PVF_2,ナイロンなどの高分子のTSC
- 30p-D-7 色素レーザー出力に及ぼす溶剤の影響(量子エレクトロニクス)
- 30p-D-9 CVLの銅蒸気温度と発振特性(量子エレクトロニクス)
- 1a-G3-11 エキシマレーザーと生体組織相互作用(生体物理)
- 1p-G1-13 CVL励起色素レーザー出力に及ぼす溶剤の影響(量子エレクトロニクス)