ビアホールマスクレス多層配線形成技術(マスクレスピラープロセス)
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概要
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近年,ULSIパターンの微細化に伴い,多層配線プロセスは工程数の増大および新規材料の導入等でLSI製造コストに占める割合が急増している.そこで微細化プロセスを実現しつつ,コスト低減を達成するためにビアホールマスクレス多層配線技術(マスクレスピラープロセス)を開発した.ビアホール用のマスク情報を下層の配線マスクに入れること,多層金属膜を用いてマスク幅依存による選択的エッチングを行うことにより,下層の配線と金属ピラーとを同時形成する.ビアホール用のホトリソグラフィ,エッチング,埋込プロセスをなくすことで工程数の削減が可能となった.マスクレスピラープロセスを用いて作成したサンプルの電気測定の結果,2層の多層配線としての機能を確認し,信頼性的にも保証できるサブハーフミクロン対応の多層配線プロセスであることがわかった.
- 1995-05-25
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