コリメーションスパッタ法によるTiN/Ti密着層の形成

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概要

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コリメーションスパッタ法を用いた高アスペクト比コンタクトへのTiN/Ti密着層の形成に関して検討した.まず,ボトムカバレージを解析的な手法で予測し,実験値との比較を行った,その結果,スパッタ粒子のガスによる散乱が少ない条件では,両者はよく一致することが確認された.また,3次元シュミレーションを用いて側壁部のカバレージを詳細に求めた結果,コンタクト入口近傍にくびれ部があることが予測され,実験的にも確認された.くびれ部は,CVD法によるW膜形成の際に密着層はく離の原因となりやすいことがわかり,これを防止するにはコンタクト入口近傍にテーパを設けることが有効であることを示した.更に,コリメーションスパッタ法による密着層を高アスペクト比コンタクトに適用し,コンタクト抵抗,接合リーク特性ともに改善されることを示した.以上より,この技術がサブミクロンレベルのコンタクトに有効であることを示した.
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-05-25

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