シリコンカーバイドパワーMOSFETs

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概要

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• ワイドバンドギャップ半導体であるSiCは、熱酸化が可能なことから、低損失で高出な、新規なMOSデバイスの開発が進められてきた。その理想的なスイッチはモータ駆動やHVDCトランスミッションシステムにおける、基本的なインバータ技術を革新的に変え得るものである。本論文では、SiC-MOSFET設計とデバイスプロセス技術における最近の進捗概要を述べる。蓄積型動作のSiC-MOSFETによる高出力なスイッチング特性を評価した。SiC結晶の品質からデバイスのキープロセスである、熱酸化とイオン注入を議論する。

• 2000-05-11

著者

• Malhan R

  デンソー 基礎研

• マルハン ラジェシュ

  株式会社デンソー基礎研究所

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