超低損失SiCパワーデバイスのハイブリッド電気自動車用パワーモジュールへの応用展開(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)

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概要

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• 新しいインバータシステムと内燃機関とで構成されたハイブリッド電気自動車(HEV)の市場が拡大しており,パワーデバイスのビジネスチャンスが広がっている.SiCは優れた電気的及び物理的性質をもち,ハードエレクトロニクスにとって非常に魅力的な材料である.本論文では超低損失SiCパワーデバイスの現状とHEV用のパワーモジュールへの応用展開を概観する.SiCの特徴を最大限に引き出すデバイス構造コンセプトを考察した.SiCのユニポーラ,バイポーラのダイオードとトランジスタの性能をSiパワーデバイスと比較し,SiCの優位性を議論した.SiC半導体デバイスは自動車用インバータを開発するためのキーデバイスである.

• 2003-04-01

著者

• Malhan R

  デンソー 基礎研

• マルハン ラジェシュ

  株式会社デンソー基礎研究所

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