エタノールガス添加O_2RIE

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概要

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エタノールを酸素を基本とする系に添加する事でエッチング面積が0に近い状態での、多層レジストの形状制御性を改善した。レジスト形状のガス組成,イオン衝撃(RFバイアス),L&S幅に対する依存性がレジスト形状が総等方性成分(等方性エッチング成分と等方性デポジション成分を合成したもの)と異方性エッチング成分の比で決定されるという簡素なレジスト形状制をモデルで説明できる事を示した。ガス組成とL&S幅の両者は総等方性成分に、イオン衝撃は異方性エッチング成分に影響を与える。等方性成分同士が釣りあったガス組成においては、レジスト形状は、イオン衝撃とL&S幅に依存しない。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-10-19

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