G^b DRAM 対応ドライ現像技術

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概要

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エタノールガスを酸素ガスを主体とするガス系に添加することにより、等方性デポジション成分と等方性エッチング成分を相殺できるガス組成を作り出した。このガス組成においては、垂直な形状が得られ形状及びエッチング速度のマイクロローデイング効果が低減された。さらにこのガス組成においては形状はRFバイアスに依存せず、低RFバイアスを採用する事で高選択比を得、マスク後退の悪影響を抑止した。しかしながら、G^bDRAM領域の微細パターン形成においては低RFバイアス化に起因するイオンの方向性の乱れにより高アスペクトスリットでのボーイングが問題になった。これに対しては、下層レジストを硫黄分を含んだ材質に変更し側壁保護プロセスを導入することで改善できる事を見いだし、良好な4G^bDRAMクラス(0.15μm ルール)のパターンを得ることができた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-10-20

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