ELTRAN^【○!R】;SOI-Epiウエーハ

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概要

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• ELTRAN(Epitaxial Layer TRANsfer)は、新たに開発されたSOI-エピウエーハであり、最近商業的に入手可能となった。このELTRANの作製方法は多孔質Si上へのエピタキシャル成長とともに、非常に優れた高選択性エッチング、水素アニール技術を用いたBESOIとしての特徴を持っている。その結果として, SOIウェーハは幅広い膜厚に対応できるだけでなく、高い膜厚均一性を持っており、その表面の平坦性は原始的平坦性を有する。実際には、4から8inch径のSOIウェーハが、専用に設計されたウルトラクリーンルーム内で製造されている。このSOI層と埋め込み酸化膜の膜厚は50nmから数μmの範囲において厚さ均一性を+/-5%以内で精密に制御されており、これらの膜の表面は最終工程においてポリッシングではなく水素アニール処理によって平坦化されている。この活性層には結晶成長時に導入される欠陥であるCOP(Crystal Originated Particle)が存在せず、高いゲート酸化膜の信頼性が期待される。数百μsecもの少数キャリアライフタイムがこのSOI層で観察された。また埋め込み酸化膜はエピタキシャルSi層上に熱成長させたものであるため、高い信頼性と共にピンホールが存在しない。このことは、SOIデバイス作製のプロセス並びにその回路性能にとって重要である。

• 1998-08-21

著者

• 米原 隆夫

  キャノン株式会社デバイス開発センター

• 米原 隆夫

  キャノン株式会社、eltranプロジェクト

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