電子ビーム及びレーザービーム露光による位相シフトマスクの製造技術
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概要
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電子ビーム(EB)及びレーザービーム露光法による位相シフトマスクの製造技術に関する材料及びアライメント精度について検討した。レジスト材料において数種類のEBレジストとフォトレジストを評価し、それらは位相シフトマスク作製用レジストとして十分な性能を示した。また、導電性高分子である日東化学社製TQV、SAVE、昭和電工社製ESPACER100をEB露光の際の帯電防止膜として用い、十分に機能することを確認した。アライメント精度(クロム層とシフター層のずれ量)は0.1μm以下であった。
- 1993-10-28
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