塩素吸着したGaAs表面からの放射光刺激脱離
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概要
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塩素吸着したGaAs(100)、GaAs(111)-B表面からの光刺激脱離を検討した。光源にはシンクロトロン放射光を用い、脱離イオンの計測には、パルスカウント方式の四重極質量分析計と飛行時間法による質量分析計を、吸着状態の計測には、X線光電子分光を用いた。GaAs(111)-B面に塩素吸着して、放射光を照射した場合、主に観測される脱離イオンはCl^+であり、Ga^+、As^+およびその塩化物のイオンは観測されなかった。これに対して、GaAs(100)面からは、Ga^+イオンが観測された。これらの結果は光刺激脱離が表面の結合状態に敏感であることと、この現象を利用した特定の原子層除去の可能性があることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-24
著者
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- 日本表面科学会編, 表面分析図鑑, 共立出版, 東京, 1994, xvi+164p., 29×19cm, 7,210円
- サマリー・アブストラクト