Geをイオン注入したpoly-Si膜の電気的特性
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概要
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熱酸化膜上にLPCVD法で堆積したpoly-Si膜へGeイオン注入を行い、その後固相再結晶化によって従来のSiイオン注入膜より大粒径化したpoly-Si膜の電気的特性の評価を行った。抵抗率は減少し、pnダイオードはSiイオン注入膜より良好な on/off 電流特性および小さなリーク電流を得ることができた。TFTでは電界効果移動度と on/off 比が大きい良好な特性を得ることができた。また、プラズマ水素化してグレイン境界などに存在するダングリングボンドを終端化させることにより、抵抗率の減少、pnダイオードとTFTの on/off 比の改善など、電気的特性の更なる向上を図った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11