結晶化された半絶縁性多結晶シリコン(SIPOS)膜の電気的特性
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概要
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結晶化されたSIPOS膜の電気的特性を調べ,電気伝導機構について考察した.SIPOS膜の電気的特性は,熱電子放出機構で説明できることを明らかにした.膜中の酸素濃度が高いほどバンドギャップが広くなり,抵抗率およびその活性化エネルギーが高くなった.りんの偏析効果を考慮して,結晶化されたSIPOS膜の粒界トラップ面密度を求め,酸素濃度とトラップ面密度の関係を明らかにした.酸素濃度が増加するとトラップ面密度は増加する.粒界トラップのエネルギーは,単一準位よりはガウス関数形分布を仮定したほうがSIPOS膜の電気特性をうまく説明できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-25