液体供給法によるAl-CVDの高速成長
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概要
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Al-CVDの高速化について報告する. 液体供給法により原料を供給することによって, 成長速度をスパッタリング法なみの約1μm/minを実現することができた. 成長した膜中の不純物濃度は従来の遅い成長速度の場合と変わらない. この方法でも高い選択性が得られ, サブミクロンの穴埋めを高速で行うことが出来る. またこの方法は表面反応律速領域を従来よりも高温まで実現することが出来るため, 径の異なる穴を同時に高速かつ均一に埋め込むことができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-26
著者
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