エチレン基含有ポーラスシリカ膜の評価
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概要
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ビストリエトキシシリルエチレンをテンプレート原料として、これに空孔形成のためのメチルペンタンジオール[MPD]を混ぜ、脱水縮合反応を利用してエチレン基含有ポーラスシリカ膜を形成し評価した。FTIR測定や熱脱離[TPD]測定の結果MPDは450℃で膜からほぼ脱離していることが分かった。MOS構造で評価した誘電率は400℃未満ではほとんど変化しないが、450℃の真空アニール後1.9となった。X線の反射率測定から膜の密度は約l.Og/cm^3であり、これから求めた空孔率は56%であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-31
著者
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