超臨界流体による低誘電率絶縁膜の改質効果 : Ash/Cleanプロセスによる膜ダメージの更正技術

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概要

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配線における寄生抵抗と容量はデバイスの信号遅延に大きく影響を与える為、多層配線における層間絶縁膜の低誘電率化要求は世代を追うに連れ強くなっている。が、低誘電率を実現するために膜自身の密度を下げる事により、多層配線構造形成プロセス、所謂インテグレーションにおける様々な問題が発生しており、未だ実用化の目処は立っていない。Etch/Ash/Cleanによる膜ダメージとそれに伴う吸湿による誘電率上昇は、機械強度低下に伴う膜破壊・膜はがれと並び最大のインテグレーション上での課題の一つであるが、我々は、超臨界状態中でHMDSなど所謂疎水化を促進する材料を添加することにより、Ash後の吸湿した膜の改質が可能かどうかの確認を試みた。本報告では実際の評価結果を紹介する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-10-21

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