疑似位相整合デバイスを用いた光パラメトリック増幅器の量子雑音特性
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概要
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疑似位相整合デバイスを用いた縮退光パラメトリック増幅器の量子雑音特性を、作製誤差を考慮したモデルを用いて数値解析した。この結果、作製誤差の影響は非飽和領域では小さく、飽和領域では大きいことがわかった。位相雑音、強度雑音が共に極度に大きくならず、かつパワー効率に優れた最適動作領域は、飽和領域内に存在することが予見された。さらに、この領域は作製誤差の影響をほとんど受けず、動作領域としては理想的であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
前田 譲治
東京理科大学理工学部
-
福地 裕
東京理科大学工学部電気工学科
-
福地 裕
東京理科大学
-
小越 澄雄
東京理科大学
-
小越 澄雄
東京理科大学 理工学部
-
前田 譲治
東京理科大学大学院理工学研究科
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