半導体レーザーを用いた光混合法によるテラヘルツ電磁波の発生とその応用
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概要
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光伝導膜に低温成長GaAsを用いた超高速動作の光スイッチ素子を利用して、2台の単一モード半導体レーザーの光混合によるTHz電磁波発生を行い、高分解能分光システムに応用した。放射される電磁波はコヒーレントな連続波THz電磁波で、03-3THzの間で周波数可変である。バイアス電圧20V、2台のレーザーの合計パワーが30mWの時、1THzでの平均放射強度は約10nW、スペクトル線幅は約5MHzであった。このTHz電磁波を光源に用いて、一酸化炭素及びアセトニトリルの回転準位の透過スペクトルを測定した。吸収率が約1%程度の吸収線を明瞭に観測することができ、高分解能分光用光源としての有用性を実証した。
- 1997-05-12
著者
-
阪井 清美
情通機構関西
-
谷 正彦
福井大学遠赤外領域開発研究センター
-
阪井 清美
郵政省通信総研関西
-
谷 正彦
郵政省通信総研関西
-
安部 元
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
松浦 周二
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
松浦 周二
宇宙科学研究所
-
阪井 清美
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
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