テラヘルツパルス分光法による半導体エピタキシャル膜評価
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概要
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テラヘルツ光は,電波と光の境界領域に位置し,最近までほとんど利用されてこなかった電磁波である.著者らは,テラヘルツパルス光を用いた分光装置を開発し,それを半導体材料の分析に応用した.特に,本手法ではパルス光を用いて分光計測を行うので,平行平板試料内部での多重反射の影響が除去できるのはもちろんのこと,反射測定時には試料裏面での反射の影響を除去することが可能になる点に着目した.この特徴を生かすことにより,基板上に作製された薄膜の分析が容易になる.そこで,半絶縁性GaAs上に成長させたn型GaAsエピタキシャル膜のテラヘルツ反射率スペクトルを測定し,その結果をドルーデモデルを用いて解析することにより,キャリヤー濃度と移動度を非接触かつ非破壊で求めた.その結果,従来の光学的手法と比較して,低キャリヤー濃度まで正確に求めることに成功した.
- 2003-06-05
著者
-
阪井 清美
情通機構関西
-
阪井 清美
独立行政法人 通信総合研究所 関西先端研究センター
-
津村 直希
株式会社栃木ニコン開発部研究室
-
宇佐見 護
株式会社栃木ニコン開発部研究室:独立行政法人通信総合研究所関西先端研究センター
-
赤堀 洋道
株式会社栃木ニコン開発部研究室
-
深澤 亮一
株式会社栃木ニコン開発部研究室
-
岩本 敏志
株式会社栃木ニコン開発部研究室
-
岩本 敏志
株式会社栃木ニコン開発部研究室:独立行政法人通信総合研究所関西先端研究センター:(現)科学技術振興事業団
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