レーザーリフトオフによるGaAs基板上のGaN系青紫色レーザー(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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レーザーリフトオフ(LLO)を用いてサファイア基板を剥離することにより、GaAs基板上にGaN系青紫色レーザーを作製した。室温連続発振においてしきい電流値78mA,しきい電圧6.4Vの特性が得られた。劈開性を有するGaAs基板上で劈開を行うことにより、高い歩留まりで高品質の光共振面の形成を行うことができた。GaN側をステムに直接ボンディングすることで従来の素子と比較して放熱特性が向上することをシミュレーションにより示し、LLOを用いたレーザーで21℃/Wという低い熱抵抗を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
-
渡辺 温
パイオニア株式会社
-
太田 啓之
パイオニア株式会社
-
丸田 秀昭
ローム株式会社
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園部 雅之
ローム株式会社
-
宮地 護
パイオニア株式会社
-
竹間 清文
パイオニア株式会社
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宮地 護
パイオニア 総研
-
竹間 清文
パイオニア
-
渡辺 温
パイオニア株式会社総合研究所
-
宮地 護
パイオニア 総合研
-
渡辺 温
パイオニア株式会社研究開発部
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