EBテスタによるメモリの故障解析
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概要
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メモリLSIの故障解析において、EBテスタを用いてパッシベーション膜が有る場合でも、良好な電位像を得る方法を開発し、故障箇所を効果的に絞り込む手順により、短時間で故障原因をつきとめることが出来るようになった。この手法を用いて実際に故障品の解析も行った。製品の開発段階から量産の各段階において、歩留り向上および信頼性向上に有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-03-18
著者
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辻出 徹
日本電気株式会社材料部品分析評価センター
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浜田 弘幸
日本電気株式会社材料部品分析評価センター
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斎藤 信一
内藤電誠工業株式会社第2電子事業部
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菱井 利祐
日本電気材料部品分析評価センター信頼性評価部
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浜田 弘幸
日本電気材料部品分析評価センター信頼性評価部
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辻出 徹
日本電気材料部品分析評価センター信頼性評価部
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中泉 一雄
日本電気材料部品分析評価センター信頼性評価部
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