半導体プロセスを用いたLIGAマスクの作製方法
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概要
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超高アスペクト比パターンを作製することができる加工方法であるLIGAプロセスを利用するには、10μm程度の厚さをもつ金吸収体パターンと低い引っ張り応力をもったメンブレンから構成されるX線マスクを作製することが必要である。今回、ゴミの低減と重金属汚染を抑制することに注意を払って、シリコンICプロセスに合致した作製方法を用いてLIGAマスクを作製する方法を開発した。本論文では、特に、ポリシリコンメンブレンの応力制御と高アスペクト比金吸収体パターンの作製方法を詳しく報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-04-18
著者
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