ピコ秒領域におけるGaAS系スラブ導波路の数値解析
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概要
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本報告ではGaAs系スラブ導波路における光波の伝搬を数値解析している。解析手法には空間回路網法を用いた。結果として最大0.1ピコ秒、導波路を伝搬した光波の各電磁界成分の振幅分布を得た。報告では最初にTE基本モードの振幅分布を持つ波を伝搬させ、解析の誤差評価を行った。次にグレーティング導波路を伝搬する光波の解析を行い、その電磁界への影響を視覚化した。結果から、導波路長さが10(μm)と短く、光波は約20波長しか伝搬していないのにもかかわらず、グレーティングによる反射の影響が電界成分Eyをはじめ磁界成分HxおよびHzに確認された。この結果から空間回路網法によるグレーティングの数値解析が可能であり、光の後方散乱現象などの解析に有効性を発揮する事が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-21
著者
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