閉じ込め効果を考慮したPDPセル内共鳴線発生量と利用率

概要

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PDPではXe励起原子からの147nm共鳴線及びXeエキシマからの172nm分子線を蛍光体励起に利用している。特に現在使用している放電ガス組成など比較的低Xe分圧領域では147nm共鳴線が優勢であると考えられており、PDPの高効率・高性能化のためには共鳴線閉じ込め効果の影響を把握することが不可欠である。通常PDPに用いられるセルディメンジョンやガス組成では、閉じ込め空間内の再分布の影響は小さく、閉じ込め距離に依存した境界壁面への離脱が重要である。1次元計算から求めた離脱係数を用いてモデルを簡易的に3次元に拡張し、実際のPDPセル構造での共鳴線利用率及び実効減衰時定数の放電発光位置依存性を評価した。その結果、ストライプセル構造の底面及び隔壁面に蛍光体が塗布された標準的なNe / Xe(4%)400torrガス組成のPDPセルの場合、前面基板から放電発光位置が30μm離れていると仮定して、共鳴線利用率は40%程度である。また、実効減衰時定数は80〜90nsであった。この減衰時定数とレーザ吸収分光法により求めたXels_4密度分布から、共鳴線生成量は1.5×10^8[光子 / セル・パルス]となり、分子線生成量とほぼ同じであった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-01-27