ボトムゲート型エキシマレーザーアニールPoly-Si TFT
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概要
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PE-CVD法により成膜したa-Si:H膜にエキシマレーザーを照射することにより形成されたPoly-Si膜と非質量分離型イオンドーピング法を用いて低温プロセス(≦450℃)ボトムゲート型Poly-Si TFTを作製した。ボトムゲート型構造は現在のa-Si TFT-LCDにおいて主流となる構造であり、Poly-Si TFTの構成に用いることによりa-Si TFTとのプロセスの共有化が期待できる。今回はエキシマレーザー照射条件によるPoly-Si膜の結晶性とTFT特性について述べるとともにチャネルドーピングによる閾値電圧の制御に関しても若干の知見が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-18
著者
-
古田 守
松下電器産業株式会社液晶事業部
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川村 哲也
松下電器産業株式会社液晶事業部
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川村 哲也
松下電器産業(株)中央研究所
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川村 哲也
阪大基礎工
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吉岡 達男
松下電器産業(株)液晶開発センター
-
宮田 豊
松下電器産業(株)液晶開発センター
-
宮田 豊
松下電器産業
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宮田 豊
松下電器産業液晶開発センター
-
川村 哲也
大阪大学基礎工学部物性分野
-
吉岡 達男
松下電器産業液晶開発センター
-
吉岡 達男
松下電器産業(株)
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