ACT型フラッシュメモリのイレース方式の検討
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概要
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フラッシュメモリはメモリセルが1Trで形成され, 高集積化が容易であることから, 携帯機器等の記憶媒体として注目されている。特に, その中で高集積化が可能な仮想接地型フラッシュメモリとして, ACT (Asymmdhcal contactless Transistor)フラッシュメモリがある。仮想接地型フラッシュメモリでは, 隣接するビット線をソース線として用いることから, 読み出し(ベリファイを含む)は4サイクルもしくは8サイクルといった動作が必要であり, ベリファイに時間がかかる。本報告では, 特に, イレースベリファイ速度を改善するための新しい手法として一括イレースベリファイ方式を提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
清水 宏明
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
-
平野 恭章
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
太田 佳似
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
丹野 昭一
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
山本 薫
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
遠藤 末男
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
中原 一則
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
三本 敏雄
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
太田 佳似
シャープ株式会社
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太田 佳似
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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山本 薫
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
-
遠藤 末男
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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丹野 昭一
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
-
三本 敏雄
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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平野 恭章
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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中原 一則
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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