ACT型フラッシュメモリの高速センス方式の検討
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概要
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電子スチルカメラ, 携帯電話などの小型携帯機器用の記憶媒体としてフラッシュメモリが注目されている。その中で, 最も高集積化が可能なものの1つとして, 仮想接地型のアレイ構成を用いたACT (Asymmetrical Contactless Transistor)型フラッシュメモリがある。これのアレイ構成は, ビット線に拡散層を用い, コンタクト数を減少させたものであり, 高集積化が進むにつれて, ビット線の負荷が増大し, アクセス速度が遅くなる問題が生じる。本報告では, この問題点を解決するする手段の1つとして昇圧センス方式を提案し, その検討結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
清水 宏明
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
-
平野 恭章
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
太田 佳似
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
丹野 昭一
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
山本 薫
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
遠藤 末男
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
中原 一則
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
三本 敏雄
シャープ株式会社 IC天理開発本部 メモリ技術センター フラッシュ第1技術部
-
太田 佳似
シャープ株式会社
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太田 佳似
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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山本 薫
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
-
遠藤 末男
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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丹野 昭一
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
-
三本 敏雄
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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平野 恭章
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
-
中原 一則
シャープ株式会社ic天理事業本部フラッシュ開発センター
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