水晶膜厚計による光導波路用RIBS-SiON膜の成分モニタリング
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概要
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SiO_xNy膜は, 組成比によって屈折率が大きく変化するため, これを光導波路として用いるには, 組成比を制御することが重要な課題である。我々は, SiO_xNy膜の作製において従来より反応性イオンビームスパッタリング(RIBS)法を用いて行なってきた。RIBS法は, 他のスパッタリング法と比較して, イオン源が分離しているため, 水晶振動子膜厚センサーを容易に用いることができる。本報告では, このセンサーを利用し, In-Situに成分(屈折率)の制御を行う方法について検討する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
信吉 輝己
岡山理科大学電子工学科
-
中川 紀美雄
岡山理科大学電子工学科
-
栗田 満史
岡山理大・工
-
中川 紀美雄
岡山理大・工
-
中川 紀美雄
岡山理科大学工学部電子工学科
-
平尾 敏則
岡山理科大学工学部
-
栗田 満史
岡山理科大学工学部電子工学科
-
信吉 輝己
岡山理科大学工学部電子工学科
-
信吉 輝己
岡山理科大学大学院工学研究科
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