SiON膜のRIBS法による屈折率制御
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概要
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反応性イオンビームスパッタリング(RIBS)法によってSiO_xN_y膜をSi基板上に成形し,偏光解析を行なうことにより,イオンビームの特性と屈折率の関係について考慮を行なう。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
信吉 輝己
岡山理科大学電子工学科
-
中川 紀美雄
岡山理科大学電子工学科
-
栗田 満史
岡山理大・工
-
中川 紀美雄
岡山理大・工
-
中川 紀美雄
岡山理科大学工学部電子工学科
-
板原 伸幸
岡山理科大学工学部
-
栗田 満史
岡山理科大学工学部電子工学科
-
信吉 輝己
岡山理科大学工学部電子工学科
-
信吉 輝己
岡山理科大学大学院工学研究科
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